دکتر منوچهر کامیاب حصاری
 

استاد مشاور :
 

دکتر فرخ حجت کاشانی
 

بهمن 1385
 

(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود است)

فهرست مطالب
 
چکیده. 1
 
فصل اول : معرفی روش FDTD
 
-1-1 تاریخچه تکنیک FDTD  در معادلات ماکسول. 6
 
-2-1 مشخصه FDTD و تکنیک های حوزه زمان شبکه مکانی مربوطه 7
 
FDTD -3-1 در یک بعد. 8
 
-4-1 پایداری در روش 14. FDTD
-5-1 تعیین اندازه سلول 14
 
-6-1 شبیه سازی در سه بعد به روش FDTD در فضای آزاد. 15
 
-7-1 خواص الکترومغناطیسی در مرز بین دو سلول 17
 
-8-1 لایه تطبیق کامل 18. PML
 
فصل دوم : مدل کردن عناصر فشرده پسیو و اکتیو با بهره گرفتن از روش FDTD
 
-1-2 عناصر فشرده خطی 27
 
-1-1-2 مقاومت 29
 
-2-1-2 منبع ولتاژ مقاومتی. 30
 
-3-1-2 خازن. 32
 
-4-1-2 سلف 32
 
-5-1-2 سیم یا اتصال 33
 
-2-2 مدل کردن عنصر فشرده در بیش از یک سلول. 33
 
-3-2 مدل کردن عناصر اکتیو. 37
 
-4-2 روش FDTD بسط یافته. 39
 
-5-2 مدل گلوبال 41
 
-6-2 روش منبع جریان معادل 48
 
-1-6-2 فرمول بندی روش منبع جریان معادل. 49
 
-2-6-2 دستگاه های اکتیو خطی. 53
 
-3-6-2 دستگاه اکتیو غیر خطی 56
 
فصل سوم : تقویت کننده مایکروویوی
 
-1-3عناصر مداری مایکروویو 61
 
-1-1-3 مدارات عنصر فشرده. 61
 
-2-1-3 مدارات خط توزیع شده. 61
 
-2-3 تطبیق شبکه های مایکروویو 61
 
-3-3 تقویت کننده های مایکروویو 61
 
-1-3-3 تقویت کننده های مایکروویوی از نظر ساختار 62
 
-2-3-3 تقویت کننده های مایکروویوی از نظر ساختار مداری 62
 
-3-3-3تقویت کننده های مایکروویوی از نظر عملکرد. 62
 
-4-3 تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی 65
 
-5-3 مدل سیگنال کوچک 67. MESFET
 
-1-5-3اندوکتانس های پارازیتیک 67.
 
-2-5-3 مقاومت های پارازیتیک 68
 
-3-5-3خازن های درونی 68
 
-4-5-3مقاومت با ر69 Ri
 
-5-5-3ضریب هدایت متقابل 69
 
-6-5-3زمان گذر. 69
 
-7-5-3مقاومت خروجی .70
 
فصل چهارم : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده
 
-1-4 طراحی تقویت کننده سیگنال کوچک. 73
 
-1-1-4 شبکه تطبیق خروجی. 76
 
-2-1-4 شبکه تطبیق ورودی. 77
 
-2-4 مشخصات خط مایکرواستریپ 78.
 
-3-4 مشخصات شبکه FDTD در شبیه سازی. 80
 
-4-4 مدل سازی عنصر فعال 80
 
-1-4-4 مدل منبع جریان 85
 
-2-4-4 مدل منبع ولتاژ. 89
 
-5-4 محاسبه پارامترهای 92 S
 
-6-4 پروسه شبیه سازی 94
 
نتیجه. 100
 
پیوست. 101
 
منابع و ماخذ. . 102
 
چکیده انگلیسی 106
 
فهرست شکل ها
 
:1-1 یک در میان قرار گرفتن میـدان های E و H از نظر زمـانی و مکانی در فرمـــول بندی
 
10. FDTD
 
:2-1 سلول 15 yee
 
:1-2 منبع ولتاژ مقاومتی که در جهت z مثبت قرار گرفته است 31
 
:2-2 مدار مربوط به عنصر فشرده که در چندین سلول yee واقع شده است. 35
 
:3-2 مدل کردن ترانزیستور در شبکه 41 FDTD
 
:4-2 دید فوقانی نیمی از ساختار 45 GaAs MESFET
 
:5-2 تقویت کننده ترانزیستور GaAs و شبکه تطبیق 46
 
:6-2 شبکه تطبیق ورودی 47
:7-2 کوپلینگ در 47. GaAs MESFET
 

     82%d9%88%d9%82%db%8c-%d8%ac%d8%b1%d8%a7/">